떠오르는 생각을 정리하는 공간

NFS를 이용하여 서버에 있는 폴더에 접근할 수 있습니다.우선 Host PC (Linux)에서 자신이 접근할 수 있는 폴더를 확인해야 합니다. $ showmount -e 111.222.333.444(server IP address)자신이 접근할 수 있는 폴더 목록이 출력됩니다. mount하려는 폴더를 생성합니다. $ sudo mkidr /mnt_tmp 그리고 mount를 진행합니다. $ sudo mount -t nfs 111.222.333.444:/share_folder /mnt_tmp 이제 mount가 잘 되었는지 확인합니다. $ df -h 리부팅한 후에도 마운트 상태 유지를 위하여 /etc/rc.local 파일 수정. $ sudo vim /etc/rc.local $ mount -t nfs 111.22..

C언어를 이용하여 프로그래밍 과정에서 undefined reference to `exp' 에러가 발생#include를 추가하였는데도 에러가 사라지지 않음. $ gcc main.c -lm -l 옵션은 라이브러리 지정하겠다는 의미. 사용하려는 라이브러리 이름을 바로 붙여서 사용뒤에 m을 붙이면 수학라이브러리를 사용한다는 의미.

Make 과정에서 오류가 발생하면 어디가 문제인지 찾기가 어렵습니다.그런데 Make의 경우는 터미널에서 파일로 출력할 때 사용하는 기능이 동작하지 않습니다.예) $ make run >> result.txt 그래서 검색하다 make 과정을 출력하는 방법을 알았습니다.$ make 2&1 | tee result.txt 그러면 result.txt에 make 동작 과정이 기록됩니다.

노턴의 정리는 [04]테브닌 정리와 비슷하게, 복잡한 회로를 간단하게 해석할 수 있게 도와줍니다. 테브닌과 다르게 전류원 과 노턴 저항 으로 표현합니다. [그림1]과 같이 복잡한 직병렬회로에서 구하고자하는 전류가 흐르는 저항을 단락(short) 시킵니다. 그러면 은 다음과 같이 계산할 수 있습니다. [그림1]의 회로를 [그림4]와 같이 전류원과 저항의 병렬로 표현할 수 있습니다. 여기서 은 다음과 같이 구할 수 있습니다.앞에서 테브닌 정리로 계산했던 것과 동일한 결과를 나타내는 것을 볼 수 있습니다. 이와 같이 테브닌 정리와 노턴 정리는 서로 연관성이 있습니다.

복잡한 회로를 간단하게 해석할 때는 테브닌 정리 또는 노턴 정리를 사용하면 편합니다.이번에는 복잡한 회로를 와 로 표현하는 테브닌 정리에 대해 간단히 정리했습니다. [그림1]과 같이 복잡한 직병렬 회로에서 에 걸리는 전압이나 흐르는 전류를 계산하는 것이 헷갈릴 수 있습니다. 그래서 테브닌 정리를 이용해 [그림1]을 [그림4]와 같이 바꾸어 해석하면 쉽게 계산할 수 있습니다. A,B 양단에 걸리는 전압이 를 의미합니다. 하지만 이 개방되어 있으므로 에 걸리는 전압이 와 동일한 것을 볼 수 있습니다. 그리고 화살표 방향으로 바라본 상태에서 총 저항 값을 계산해 를 구할 수 있습니다. [그림4]와 같이 와 를 넣어 테브닌 정리를 이용한 회로를 새로 만들 수 있습니다. 부하 저항에 흐르는 전류를 계산하면 다음과..

위키피디아에서는 pn junction을 다음과 같이 정의하고 있다.A p-n junction is a boundary or interface between two types of semiconductor material, p-type and n-type, inside a single crystal of semiconductor. 앞에서 실리콘(Si)에 불순물을 첨가해서 P와 N형으로 도핑한 것을 붙입니다. 그러면 [그림1]과 같이 중간에서는 diffusion에 의해서 합쳐지지만 나머지 정공과 전자는 각자 위치에 있는 것을 볼 수 있습니다. 또한 이러한 PN접합은 한쪽으로만 전류가 흐르는 다이오드와 동일한 것을 볼 수 있습니다. pn junction을 동작하기 위해서는 forward bias와 revers..

위키피디아에서 반도체는 다음과 같이 표현함.Semiconductors are crystalline or amorphous solids with distinct electrical characteristics. They are of high resistance ㅡ higher than typical resistance materials, but still of much lower resistance than insulators. 실리콘(Si)는 원자가 전자 4개를 가지고 있음. 불순물을 조금 첨가하는 도핑(doping)과정으로 반도체의 특성을 크게 바꿀 수 있음. 대표적으로 N형과 P형이 존재함.N형 도핑: 주기율표 5족에 있는 인(P), 비소(As)를 첨가하면 공유결합하지 못한 전자가 발생함. 그래서 전..

렌츠의 법칙은 코일을 관통하는 자기장의 변화로 인해 유도 전류가 흐를 때, 이 유도 전류의 방향은 자기장의 변화를 방해하는 방향으로 흐른다는 것을 의미한다.자석의 위치에 따라 코일에 유도되는 전류가 다르게 흐름. 자석이 멀어질 때에는 자기장이 감소하므로, 그것을 방해하기 위해 반대 방향으로 전류가 흐르는 것을 볼 수 있음.

전류와 자기장의 운동에 대한 법칙으로 오른손의 법칙과 왼손의 법칙으로 나뉜다. [그림1] 플레밍 왼손 법칙 [그림2] 전동기왼손의 법칙은 [그림1](출처:www.electrical4u.com]과 같이 표현 가능함. 이를 이용해 전동기를 만드는데 활용 가능함. 여기에서 전동기는 전기를 이용해서 물리적인 회전을 만드는 것을 의미함. [그림3] 플레밍의 오른손의 법칙 [그림4] 발전기 오른손의 법칙은 [그림3]](출처:www.electrical4u.com]과 같이 표현 가능함. 이를 이용해 발전기를 만드는데 활용 가능함. 여기에서 발전기는 물리적인 힘으로 전기를 만드는 것을 의미함.

어떤 공간에 분포한 전류와 그 공간에 형성되는 자기장과의 관련성을 단순하게 표현한 것. 임의의 폐곡선에 대한 자계의 선적분은 이 폐곡선 곡면 내부를 통과하는 전류와 같다는 것을 나타낸다. 아래 그림[출처:위키피디아]과 같이 무한히 긴 막대에 전류가 흐를 때, 주변에 자기장이 발생함.자기장은 다음과 같이 표현할 수 있음. 폐곡선을 선적분 하면 다음과 같음.자기장의 반지름인 r과 상관없이, 폐곡선에 대한 자기장을 선적분하면 내부를 통하는 전류의 곱으로 표현되는 것을 알 수 있음.